SBYV26C-5001M3/73
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV26C-5001M3/73
| Artikelnummer: | SBYV26C-5001M3/73 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV26C-5001M3/73 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SBYV26C-5001M3/73.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.5 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-204AL (DO-41) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie SUPERECTIFIER® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30 ns Verpackung / Gehäuse DO-204AL, DO-41, Axial Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Box (TB) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer SBYV26 SBYV26C-5001M3/73 Einzelheiten PDF [English] SBYV26C-5001M3/73 PDF - EN.pdf -
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